深圳市英尚微电子有限公司

Nikkiso的工程师选择EVERSPIN 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性，不需要电池或电容器，无限制的非易失性写耐久性以及在非易失性写周期和读取周期中都具有高速性。这些独特的医疗MRAM属性提高了系统的可靠性，这在Nikkiso的高可靠性医疗设备市场中至关重要。

英尚微电子推出一款针对IS61LV25616芯片进行兼容替换的XRAM存储器芯片，型号XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作电压采用宽电压 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速读取速度，XM8A25616V33A提供二个封装选项

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

MR20H40CDF是Everspin 所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。

MM32L073系列工作电压为2.0V∼5.5V，工作温度范围包含-40◦C∼+85◦C常规型和-40◦C∼+105◦C扩展型。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。MM32L073提供LQFP48、LQFP32、QFN32和TSSOP20共4种封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。

通过用IoT ram替换DRAM，消除了对外部刷新控制器的需求，这降低了接口的复杂性和相关的验证成本，利用了外部SPI接口的使用，同时保持了IoT应用程序所要求的高性能水平，并降低整个系统的功耗。有些基于MCU的旧系统仍在使用SDRAM，在降低功耗和简化接口方面，可以受益于IoT RAM的使用。