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原厂现货MR4A16BYS35并口mram芯片存储器

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原厂现货MR4A16BYS35并口mram芯片存储器

原厂现货MR4A16BYS35并口mram芯片存储器
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原厂现货MR4A16BYS35并口mram芯片存储器产品详情

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  • Density:16Mb
  • Org. :1Mx16
  • Voltage:3.3V
  • Pkg.:54-TSOP
  • Temp :Commercial
  • 品牌:其他
  • 封装形式:其他
  • 类型:数字集成电路
  • 型号:MR4A16BYS35
  • 批号:18+

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Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家*公司。2006年,Everspin推出业界****款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。


Density Org. Voltage Part Number Pkg. Temp
16Mb 1Mx16 3.3V MR4A16BYS35 54-TSOP Commercial
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BYS35R 54-TSOP2 Commercial
16Mb 1Mx16 3.3V MR4A16BMA35 48-BGA Commercial
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BMA35R 48-BGA Commercial
16Mb 1Mx16 3.3V MR4A16BCYS35 54-TSOP Industrial
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BCYS35R 54-TSOP2 Industrial
16Mb 1Mx16 3.3V MR4A16BCMA35 48-BGA Industrial
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BCMA35R 48-BGA Industrial
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BUYS45 54-TSOP2 Automotive
16Mb 1Mx16 3.3v MR4A16BUYS45R 54-TSOP2 Automotive


FEATURES

· 3.3 Volt power supply

· Fast 35 ns read/write cycle

· SRAM compatible timing

· Unlimited read & write endurance

· Data always non-volatile for >20 years at temperature

· RoHS-compliant *all footprint BGA and TSOP2 package

· All product*eet MSL-3 moisture sensitivity level


以上内容为原厂现货MR4A16BYS35并口mram芯片存储器,本产品由深圳市英尚微电子有限公司直销供应。
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